口头报告激光CVD法制备3C-SiC/石墨烯纳米森林薄膜及其电化学性能
编号:298
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更新:2021-04-28 14:15:38 浏览:116次
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摘要
随着石油能源的日益减少和环境污染的日益严重,新一代的清洁储能装置的研究越来越受关注[1]。超级电容器具有功率密度高、循环寿命长、充放电速度快、环境友好等优点,是电化学储能领域的研究热点,也是未来混合动力汽车和电动汽车优选的动力能源,具有广阔的应用前景,有望成为新型的绿色能源[2-4]。3C-SiC材料具有优异的化学稳定性,良好的机械强度,宽带隙和高电子迁移率,最近已被证明有潜力作为负极材料应用于平面超级电容器[5-11]。在碳化硅的同质多形体中,立方碳化硅是唯一能在硅(Si)基板上生长且性能优异的晶型,因此可以与成熟的硅半导体技术相兼容。然而,纯相的立方碳化硅的电导率较低,限制了其作为超级电容器电极材料的应用。3C-SiC/石墨烯复合材料不仅具有抗氧化、耐腐蚀、物理化学性质稳定、高强度等性能同时具有高电导率、高导热率等优异性质。在碳化硅/石墨烯电极材料中,石墨烯的优异电导性可以有效减小电极材料的内阻,形成三维导电网络,从而有利于双层电荷的累积。
本研究工作采用激光CVD技术,通过调整沉积参数,制备多孔“纳米森林”状,疏松的“菜花”状,致密的“金字塔”状的3C-SiC形貌。通过沉积工艺的控制,采用激光光刻作用在3C-SiC纳米晶须上原位生长石墨烯,形成3C-SiC/石墨烯纳米森林复合结构,利用3C-SiC/石墨烯纳米森林作为平面超级电容器的负极材料,研究其电化学性能,分析不同形貌、不同组分对电化学性能的影响。通过优化工艺流程和工艺参数,得到高双层电容、高循环稳定性的3C-SiC/石墨烯的制备工艺,Tdep = 1523 K,Ptot = 400 Pa和fH2 = 500 sccm条件下沉积3C-SiC/石墨烯纳米森林复合薄膜纳米空隙结构分布均匀,无明显团聚生长现象,具有最优异的电化学性能。在0.5 M H2SO4溶液中电化学窗口为0.2-1,双层面积比电容可达8.533 mF/cm2(20 mA/cm2),体积比电容达到4.1 F/cm3。3C-SiC/石墨烯复合薄膜电极具有优异的倍率循环稳定性和长期循环稳定性,充放电10000个循环之后,电容保持率达到90.5 %。分析了3C-SiC/石墨烯纳米森林复合薄膜的生长机理和电化学储能机理。
随着石油能源的日益减少和环境污染的日益严重,新一代的清洁储能装置的研究越来越受关注[1]。超级电容器具有功率密度高、循环寿命长、充放电速度快、环境友好等优点,是电化学储能领域的研究热点,也是未来混合动力汽车和电动汽车优选的动力能源,具有广阔的应用前景,有望成为新型的绿色能源[2-4]。3C-SiC材料具有优异的化学稳定性,良好的机械强度,宽带隙和高电子迁移率,最近已被证明有潜力作为负极材料应用于平面超级电容器[5-11]。在碳化硅的同质多形体中,立方碳化硅是唯一能在硅(Si)基板上生长且性能优异的晶型,因此可以与成熟的硅半导体技术相兼容。然而,纯相的立方碳化硅的电导率较低,限制了其作为超级电容器电极材料的应用。3C-SiC/石墨烯复合材料不仅具有抗氧化、耐腐蚀、物理化学性质稳定、高强度等性能同时具有高电导率、高导热率等优异性质。在碳化硅/石墨烯电极材料中,石墨烯的优异电导性可以有效减小电极材料的内阻,形成三维导电网络,从而有利于双层电荷的累积。
本研究工作采用激光CVD技术,通过调整沉积参数,制备多孔“纳米森林”状,疏松的“菜花”状,致密的“金字塔”状的3C-SiC形貌。通过沉积工艺的控制,采用激光光刻作用在3C-SiC纳米晶须上原位生长石墨烯,形成3C-SiC/石墨烯纳米森林复合结构,利用3C-SiC/石墨烯纳米森林作为平面超级电容器的负极材料,研究其电化学性能,分析不同形貌、不同组分对电化学性能的影响。通过优化工艺流程和工艺参数,得到高双层电容、高循环稳定性的3C-SiC/石墨烯的制备工艺,Tdep = 1523 K,Ptot = 400 Pa和fH2 = 500 sccm条件下沉积3C-SiC/石墨烯纳米森林复合薄膜纳米空隙结构分布均匀,无明显团聚生长现象,具有最优异的电化学性能。在0.5 M H2SO4溶液中电化学窗口为0.2-1,双层面积比电容可达8.533 mF/cm2(20 mA/cm2),体积比电容达到4.1 F/cm3。3C-SiC/石墨烯复合薄膜电极具有优异的倍率循环稳定性和长期循环稳定性,充放电10000个循环之后,电容保持率达到90.5 %。分析了3C-SiC/石墨烯纳米森林复合薄膜的生长机理和电化学储能机理。
关键词
3C-SiC;石墨烯;纳米森林;激光CVD;电化学性能
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