张贴报告射频磁控溅射SiC薄膜的附着力和光学性能研究
编号：50
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更新：2020-10-19 10:24:20 浏览：233次
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摘要
SiC材料具有良好的电学特性和力学特性，它禁带宽度较大,有热传导率高、耐高温、抗腐蚀、化学稳定性高等特点,用于作为半导体器件和结构材料的表面涂层,具有广阔的市场和应用前景。采用射频磁控溅射工艺通过不同射频功率，在玻璃和Si基板上沉积了以AlN作为缓冲层的非晶态SiC薄膜。研究了AlN缓冲层厚度对复合薄膜形貌和力学性能的影响。结果表明，AlN缓冲层可以有效改善碳化硅薄膜的附着强度，随着缓冲层厚度从0增至30nm，SiC薄膜附着力也从26.78 N 逐渐增至37.66 N，这主要是由于AlN的热膨胀系数在Si与SiC之间，且随着射频功率的提升入射粒子的沉积效率也随之增加使得薄膜附着强度增加。碳化硅薄膜的平均透过率随射频功率的增加而降低，这一变化也与薄膜SEM图一致，随着溅射功率的提升薄膜呈现致密表面导致透过率降低。同时参考拉曼光谱，薄膜体现强非晶态SiC峰、弱晶态SiC峰和弱金刚石峰，三个分量的比例不同会影响光带隙的大小。采用Tauc公式计算得到SiC薄膜禁带宽度值在3.31eV到3.50eV之间变化。
关键词
SiC薄膜；AlN缓冲层；射频磁控溅射；附着强度；光学性质
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