张贴报告铜基铌薄膜的PECVD制备及表征
编号：47
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更新：2020-10-19 10:24:20 浏览：255次
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摘要
纯铌射频超导腔由于具有更高的加速梯度被用于强流重离子加速器、加速器驱动嬗变研究等大科学装置中，为了降低纯铌腔的运行成本，增加导热性，铜基铌薄膜腔被发展。本文采用等离子体增强的化学气相沉积技术(PECVD)，使用NbCl5作为前驱体，H2作为还原剂，制备了均匀的致密铜基铌薄膜样片，经过SEM、XRD、XPS、EDX表征发现PECVD技术制备的薄膜质量较好，且可明显降低薄膜生长温度，表明了PECVD技术在射频超导薄膜制备方面的巨大潜力，为接下来铜基铌薄膜射频超导腔制备奠定基础。
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