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口头报告单晶金刚石化学机械抛光表面损伤机理探究

编号：469 访问权限：仅限参会人更新：2024-04-24 18:32:09 浏览：282次收藏取消收藏

2024-05-12 14:55

15min

[H2] 论坛7：摩擦、磨损与润滑技术C [H2-2] 论坛7C下午

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摘要

单晶金刚石（SCD）的表面质量是影响SCD器件性能的关键因素。为了提高SCD的表面质量，研究SCD化学机械抛光的表面损伤机理，揭示损伤形成的原因和演变规律。本文采用化学机械抛光机研究了5种稀土氧化物纳米磨料氧化铈、氧化镧、氧化钕、氧化铒、氧化镱对SCD表面损伤的影响。主要研究结果如下：

CeO₂抛光后表面质量最好，表面损伤以划痕为主，表面存在凹坑；Yb₂O₃抛光后表面质量最差，表面损伤以凹坑为主；
芬顿试剂与稀土氧化物磨料的协同作用导致SCD表面被严重氧化，且表面存在大量腐蚀坑。抛光后SCD拉曼峰位置发生偏移，金刚石晶体结构被破坏；Yb₂O₃抛光后的表面出现细晶金刚石以及sp²碳。
CMP机制：SCD表面在·OH以及稀土氧化物磨料的作用下被氧化，生成C-O、C=O、C-OH等基团，之后被纳米磨料机械去除，获得了光滑的SCD表面。

关键词

单晶金刚石化学机械抛光表面损伤机理稀土氧化物

报告人

贾涵

郑州大学

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活动信息

第十四届全国青年表面工程学术会议

2024年05月10日~12日中国 · 宁波市

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