图书馆-报告库-中国机械工程学会表面工程分会

口头报告镁合金表面V/Ce缓蚀膜的制备工艺及导电耐蚀性能研究

编号：414 访问权限：仅限参会人更新：2024-04-20 21:47:08 浏览：114次收藏取消收藏

2024-05-12 14:25

15min

[I2] 论坛8：腐蚀与防护技术B [I2-2] 论坛8B下午

暂无文件

摘要

镁合金在航空航天、汽车及 3C 数码领域的应用往往会涉及电子电气领域，在满足对耐蚀性要求的同时，还需要有良好的电磁兼容性，对于设备和人员安全有着非常重要的意义。本文在常温中性pH条件下以NAVO₃、CeNO₃.6H₂O、Na₂B₄O₇.10 H₂O和EDTA-2Na为主成分，在AZ91D镁合金表面通过化学转化技术制备了V/Ce缓蚀膜。研究了缓释膜的微观形貌、元素组成、腐蚀性为和导电性能。结果表明膜层表面拥有大面积的导电斑点，膜层厚度为1-3µm之间。V/Ce缓蚀膜的腐蚀电流密度降低了1个数量级，容抗弧半径和阻抗模值均比基体大，缓蚀膜电导率略小于基体电导率；通过莫特.肖特基曲线研究了膜层的半导体特性属于n型半导体特性。本工艺制备的 V/Ce缓蚀膜耐蚀性和导电性良好，在电子电气领域具有很好的应用前景。