特邀报告反应溅射中靶材中毒状态的演变
编号：363
访问权限：仅限参会人
更新：2024-04-22 17:59:24
浏览：91次
收藏
取消收藏
摘要
反应溅射作为一种关键的表面处理技术，广泛应用于半导体、光电子和防护涂层等领域，对提高材料性能和扩展功能材料的应用范围具有重要意义。在这一过程中，靶面化合物的覆盖率直接决定了靶材的中毒状态，从而对整个工艺过程的效率和最终产品的质量产生深远的影响。值得注意的是，随着放电过程的进行，靶材的持续刻蚀导致其表面形貌发生变化，这种变化进而影响到靶面化合物的覆盖率，但其具体趋势一直未明确。本研究选取铝（Al）在氩气/氮气（Ar/N2）混合气氛中的放电过程作为研究对象，构建了等离子体整体模型，旨在探究不同放电功率条件下，靶中毒行为随着刻蚀深度变化的规律。研究结果揭示了在不同功率条件下靶中毒趋势的显著差异：随着刻蚀深度的增加，低功率条件下靶面化合物的覆盖率呈现下降趋势，而高功率条件下则呈现上升趋势。通过对靶面化合物的生成和消耗机制进行深入分析，发现随着刻蚀过程的进行，等离子体体系内的铝（Al）元素和氮（N）元素的相对含量有所增加。在低功率条件下，铝离子（Al+）的溅射作用对化合物的消耗速率大于氮原子的吸附作用对化合物增加的速率；而在高功率条件下，氮原子的吸附速率超过了铝离子的溅射速率。本研究的发现为反应溅射过程的精确控制提供了重要的理论指导，有助于工艺优化和阴极设计，进而提升涂层性能。
关键词
反应溅射,靶中毒,阴极刻蚀,等离子体整体模型
发表评论